ผลของความหนาแน่นกำลังดิสชาร์จและการอบต่อโครงสร้างผลึกของฟิล์มวานาเดียมออกไซด์ที่เตรียมโดยเทคนิครีแอคทีฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง / กมล เอี่ยมพนากิจ

ข้อมูลบรรณานุกรม #9044471

แบบย่อ |แบบเต็ม |MARC

ตัวอย่าง เพิ่มแท็ก เพิ่มรายการ แบ่งปัน แนะนำ สั่งซื้อ บันทึก ส่งออก Citation

ความนิยม

ประเภทวัสดุ

บทความ

ผู้แต่ง	กมล เอี่ยมพนากิจ
ชื่อเรื่อง	ผลของความหนาแน่นกำลังดิสชาร์จและการอบต่อโครงสร้างผลึกของฟิล์มวานาเดียมออกไซด์ที่เตรียมโดยเทคนิครีแอคทีฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง / กมล เอี่ยมพนากิจ
พิมพลักษณ์	2560
หัวเรื่อง	ฟิล์มบาง
	สารเคลือบผิว
	การเคลือบฟิล์ม
	ฟิล์มวานาเดียมออกไซด์
ชื่อวารสาร	วิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์ ปีที่ 25, ฉบับที่ 4 (ต.ค.: 2560), 545-552
เชื่อมโยง	https://li01.tci-thaijo.org/index.php/tstj/article/view/75156/60573

เพิ่มความเห็น

ชื่อของคุณ

ความเห็น

เพิ่มบทวิเคราะห์

ชื่อของคุณ

เนื้อหา

เพิ่มรายการ

ชื่อเรื่อง

สร้างใน

เก็บในโฟลเดอร์เดียวกันทุกรายการ

สร้างโฟลเดอร์

ชื่อโฟลเดอร์

ผลลัพธ์การเพิ่มรายการ

จองทรัพยากร

สาขาที่รับ

วันที่คาดว่าจะรับ

ขอใช้หนังสือด่วน

เงื่อนไข

ติดต่อสอบถามข้อมูลเพิ่มเติม โทร. 2352

แผนที่ตั้งทรัพยากร